| Titre : | Modélisation du transistor bipolaire intégré . Tome 1 : Dispositifs au silicium |
| Auteurs : | Philippe Cazenave |
| Type de document : | texte imprimé |
| Editeur : | Paris : Hermes science publ., 2004 |
| Autre Editeur : | Lavoisier |
| Collection : | Traité EGEM |
| Sous-collection : | électronique et micro-électronique. |
| ISBN/ISSN/EAN : | 978-2-7462-0987-9 |
| Format : | 335 p / ill., couv. ill.en coul / 25 cm |
| Note générale : | Index |
| Langues: | Français |
| Index. décimale : | 621.3 (Electrotechnique, électronique, télécommunications) |
| Catégories : |
Exemplaires (1)
| Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
|---|---|---|---|---|---|
| dbc001754 | 621.38 CAZ- 524 | Livre | Bibliothèque Sciences et Technologies | Sciences exactes(ch&ph&ma&in) | Consultation sur place Exclu du prêt |
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