| Titre : | Effet de la distance inter - électrodes sur les propriétés optoélectroniques et structurales de l'alliage silicium germanium amorphe hydrogénés (aSi) élabore par PECVD( |
| Auteurs : | Hayet Brakna, Auteur ; Daouia Chenoufi, Auteur ; Abdelkader Belfedal, Directeur de thèse |
| Type de document : | texte manuscrit |
| Editeur : | Université mustapha stambouli de Mascara:Faculté des sciences exactes, 2017 |
| Format : | 89P / couv. ill. en coul / 29 cm. |
| Accompagnement : | disque optique numérique (CD-ROM) |
| Langues: | Français |
| Résumé : |
Dans ce travail nous avons examiné l’effet de la distance inter-électrode sur les propriétés structurales et optoélectroniques de l’alliage a-Si1-XGeX:H déposé sur l’électrode RF (la cathode) dans les conditions optimum de dépôt du a-Ge:H, en faisant varier systématiquement les distances interélectrodes D de 0.8 à 3.2 cm. Nous avons remarque que lorsque D change on obtient un changement considérable dans les configurations de liaisons de l’hydrogène, ce qui entraîne une modification significative des propriétés structurales et optoélectroniques de l’alliage. Bien que le contenu total d’hydrogène lié reste sensiblement constant. En effet, lorsque la distance diminue, l’hydrogène est incorporé de plus en plus sous forme groupes monohydriques au détriment des groupements polyhydriques, avec un attachement préférentiel aux atomes de Ge comme nous l’avons montré par l’analyse des spectres infrarouge. L’augmentation des proportions d’hydrogène fortement lié conduit à une réduction des contraintes locales du réseau et à une élimination certains nombres de liaisons pendantes, ce qui augmente le nombre de coordinance moyen (augmentation de l’indice statique , et l’énergie de dispersion ) et par conséquent une réduction de la microstructure du matériau comme l’indique les faibles valeurs du paramètre de microstructure R pour les échantillons déposé à faible distance D. L’énergie du gap optique exprimée par le gap de Tauc et l’énergie E04, montre une corrélation linéaire avec l’hydrogène en configuration monohydriques (Ge-H et Si-H), ce qui indique clairement que l’augmentation de la concentration d’hydrogène fortement lié aux atomes de Ge et de Si affecte considérablement le gap optique indépendamment de la vitesse de dépôt. Ce comportement a été attribué explicitement à un effet d’alliage entre les atomes de Ge et H, Si et H respectivement. L’incorporation d’hydrogène sous cette configuration affecte non seulement le gap optique et la densité de matériau qui sont généralement lié par des modèles de la spectroscopie de la liaison chimique, mais également la densité de défauts et le paramètre de désordre déduits de l’analyse des spectres d’absorption optique pour les faibles absorptions déterminés par des mesures de PDS. En effet, les paramètres trouvés pour relatifs aux échantillons déposés à des faibles valeurs de la distance D et à des vitesses relativement élevées sont similaires à ceux obtenus pour le a-Si :H déposé dans les conditions dites “standards”. Ces résultats remarquables obtenus pour l’alliage sont attribués d’une part aux conditions optimales de plasma utilisées (la puissance RF et la température de dépôt relativement élevée) qui jouaient un rôle fondamental dans l’élimination de certains nombres de défauts et dans l’augmentation de la vitesse de dépôt, et d’autre part à l’augmentation de la concentration d’hydrogène fortement lié aux atomes de germanium et de silicium, avec un attachement préférentiel aux atomes de Ge. |
Exemplaires (1)
| Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
|---|---|---|---|---|---|
| SE00498T | PH50 | Livre audio | Bibliothèque des Sciences Exactes | 7-Mémoires Master | Consultation sur place Exclu du prêt |
Aucun avis, veuillez vous identifier pour ajouter le vôtre !
Accueil
