Titre : | Etude théorique des propriétés structurales des composés de types TbVO₄ et CeVO₄ |
Auteurs : | Nour El Houda Mokhfi, Auteur ; Zahra Boulardjem, Auteur ; Souad Messekine, Directeur de thèse |
Type de document : | texte manuscrit |
Editeur : | Université mustapha stambouli de Mascara:Faculté des sciences exactes, 2017 |
Format : | 51P. / couv. ill. en coul / 29 cm. |
Accompagnement : | disque optique numérique (CD-ROM) |
Langues: | Français |
Résumé : |
Dans ce travail, nous avons étudié les propriétés structurales, électroniques (structure de bandes, densité d’états), et optique (fonction diélectrique, coefficient d’absorption, la réflectivité, l’indice de réfraction et l’énergie de perte) des composée CeVO4 et TbVO4 dans la phase zircon par la méthode des ondes planes (FP-LAPW) dans le cadre de la DFT. Dans cette étude nous avons entamé plusieurs approximations : l’approximation gradient généralisée per (GGA-pbe), TBmBj, GGA+U et GGA+U+ TB mbj Dans cette conclusion, nous tenons, à souligner les points essentiels suivants: Tout d’abord, nous avons étudié les propriétés structurales qui caractérisent l’état fondamentale des systèmes considérés telles que le volume à l’équilibre, le module de compressibilité par rapport à la pression à température 0K des différentes phases magnétique. Ils ont été calculés et comparées aux résultats expérimentaux et théoriques obtenus précédemment. Nos résultats sont en très bon accord avec ceux obtenus par d’autres méthodes théorique et les résultats expérimentaux existant. Le vanadate de Cérium est ferromagnétique mais le vanadate de Terbium est antiferromagnétique. Ensuite, nous avons déterminé les propriétés électroniques des deux matériaux en indiquant leurs structures de bandes et densités d’états. En se basant sur l’approximation GGA+U+TBmBJ nous avons déterminé la nature électronique des composés (CeVO4, TbVO4) est confirmée par le calcul des structures de bandes : CeVO4 à spin down est un semi-conducteur à gap direct gamma-gamma ; Eg =3. 79eV et CeVO4 à spin up est un semi-conducteur à gap indirect M-Gamma avec Eg =2.71eV largeur de bande interdite. TbVO4 est un semi-conducteur à gap direct dans les deux directions spin up Eg =3.008 eV et spin down Eg =3.008 eV. Les DOS nous ont permis de comprendre la répartition électronique des différents orbitaux atomiques de TbVO4 et CeVO4 dans l’intervalle [-5 20] eV. L’étude du comportement des semi-conducteurs CeVO4 et TbVO4 vis-à-vis la lumière, en calculant leur propriétés optiques telles que : la fonction diélectrique qui montre que le gap optique est en accord avec le gap électronique, la réflectivité qui reflète les différentes transitions électronique dans UV Le coefficient d’absorption qui nous informe que la couleur absorbé par TbVO4 est hν =3.008 eV de couleur violet et CeVO4 hν =2.79 eV de couleur violet-bleu L’énergie de perte est de l’ordre de 30 eV pour TbVO4 et 26 eV pour CeVO4 L’indice de réfraction à 0 eV le Δn0=0.001 ωet Δn0 =0.006 ω pour TbVO4 et CeVO4 respectivement c’est une forte biréfringence pour les deux composés et une anisotropie optique remarquable dans l’intervalle énergétique étudier. Finalement, d’après nos résultats qui sont en bon accord avec les autres études faites pour ces deux matériaux nous pouvons solliciter ces matériaux dans leurs domaines d’applications avec une bonne carte de présentation. Sans oublier que dans nos perspectives nous voulions faire une étude des propriétés optique dans les différentes directions. |
Exemplaires (1)
Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
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SE00524T | PH58 | Livre audio | Bibliothèque des Sciences Exactes | 7-Mémoires Master | Consultation sur place Exclu du prêt |
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