| Titre : | Propriétés électroniques et thermoélectriques des matériaux chalcopyrites ZnSnAs₂ |
| Auteurs : | Mohammed Boutaous, Auteur ; Mohammed Chibane, Auteur ; H Bouhani-Benziane, Directeur de thèse |
| Type de document : | texte manuscrit |
| Editeur : | Université mustapha stambouli de Mascara:Faculté des sciences exactes, 2017 |
| Format : | 63P. / couv. ill. en coul / 29 cm. |
| Langues: | Français |
| Résumé : |
Ce travail est une contribution à l’étude des propriétés structurales, électroniques et thermoélectriques du matériau chalcopyrite ZnSnAs2. Cette étude à été réalisée par la méthode des orbitales muffin-tin linéarisées avec un Potentiel total (FP-ALPW) dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la densité DFT, Implémentée dans le code WIE2k, et pour déterminer le potentiel d’échange et de corrélation on a utilisé l’approximation du gradient généralisée (GGA) et l’approximation (TB-MBJ) avec la correction d’Hubbard. Ce travail de calcul théorique nous a permis d’aboutir à plusieurs conclusions entre autres des résultats de propriétés structurales et électroniques. Nous avons trouvé qu’il y a une bonne concordance entre notre travail théorique et d’autres résultats expérimentaux tels que les paramètres de maille a0 et c0 et le paramètre interne (u), module de compressibilité ainsi que sa dérivée. Concernant les propriétés électroniques ; nous avons schématisé la structure de bande et la densité d’états en utilisant l’approche GGA ainsi que l’approche TB-MBJ, Cette dernière donne une meilleure topologie de la structure de bande et des valeurs de gap d’énergie inférieures à celles données par l’expérience ce qui est évident avec l’utilisation da la fonctionnelle GGA. Pour la densité d’états, on a indiqué les contributions des états de chaque partie des bandes et nous avons montré la nature de la liaison de nos composés a l’aide de la densité de charge tracé dans le plan. Nous avons conclu également que les liaisons dans les composés sont de type mixte (Covalent - ionique). Propriétés thermoélectriques A partir de l’étude théorique des propriétés électroniques et thermoélectriques, nous concluions que le composé ZnSnAs2 est semi conducteur à faible gap de type p. |
Exemplaires (1)
| Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
|---|---|---|---|---|---|
| SE00525T | PH59 | Livre audio | Bibliothèque des Sciences Exactes | 7-Mémoires Master | Consultation sur place Exclu du prêt |
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