| Titre : | Effet de la Température sur les paramètres physiques d’une couche mince à base de SnO2 déposé par spray |
| Auteurs : | Allouche, Asma, Auteur ; Zeggai, Souhila, Auteur ; Younes Mouchaal, Directeur de thèse |
| Type de document : | texte manuscrit |
| Editeur : | Université mustapha stambouli de Mascara:Faculté des sciences exactes, 2018 |
| ISBN/ISSN/EAN : | SE00639T |
| Format : | 92 P. / ill. en coul. / 29 cm. |
| Accompagnement : | disque optique numérique (CD-ROM) |
| Langues: | Français |
| Résumé : |
Dans ce travail de mémoire on s’est intéressé à l’élaboration de couches minces de semi-conducteur de type oxyde métallique : l’oxyde d’étain SnO2. L’objectif était la réalisation des couches minces dioxyde d’étain SnO2 élaborés par le technique spray pyrolyse sur des substrat verre. Plusieurs techniques ont été utilisées pour la caractérisation des échantillons : la diffraction des rayons X (DRX) pour l’étude structurale, la structure morphologique a été analysée par la microscopie électronique à balayage (MEB). Et nous avons étudie les propriétés optiques par spectroscopie UV-Visible. les propriétés électriques par la méthode Effet Hull , les mesures d’épaisseur par profilomètre mécanique. • L’analyse par les rayons X des échantillons de SnO2 montre que la température de dépôt à 375°C ne permet pas la formation de SnO2 c'est-à-dire qu’il n’y a pas de formation des cristallites de SnO2 de taille appréciable et la structure est amorphe. Elle montre aussi que les échantillons de SnO2 avec à 425°C et le recuit à 450°C et à 500°C sont tous cristallisés. Nous avons observé que tous les échantillons cristallisent sous la structure tétragonal avec une orientation préférentielle dans direction (110). • A partir des observations du microscope électronique a balayage (MEB) nous avons conclu des surfaces des films permet à la fois de vérifier l’homogénéité des films. • La caractérisation optique montre que nos couches ont une forte transmittance de L’ordre de 90 à 96%. A partir de mesures de transmission nous avons déduis le gap Optique de films, les valeurs obtenues varient de 3.76 à 3.86eV selon les conditions D’élaboration. La grande transparence dans le visible et le large gap des films. •Les caractéristiques électriques montrent que nos films sont des semi conducteurs De type n, la résistivité est diminuée avec l’augmentation la température de dépôt, et l’augmentation mobilité avec l’augmentation la température de dépôt. •Nous avons noté que l’épaisseur des films de SnO2 est diminuée avec L’augmentation de la température de dépôt. |
Exemplaires (1)
| Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
|---|---|---|---|---|---|
| SE00639T | PH70 | Livre audio | Bibliothèque des Sciences Exactes | 7-Mémoires Master | Consultation sur place Exclu du prêt |
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