| Titre : | Etude des mécanismes de conduction dans le silicium nanocristallin déposé par pulvérisation cathodique radiofréquence à effet magnétron" |
| Auteurs : | Mohamed Chouaib, Auteur ; Houaria Riane, Directeur de thèse |
| Type de document : | texte manuscrit |
| Editeur : | Université mustapha stambouli de Mascara:Faculté des sciences exactes, 2018 |
| ISBN/ISSN/EAN : | SE00636T |
| Format : | 89 P. / ill. / 29 cm. |
| Accompagnement : | disque optique numérique (CD-ROM) |
| Langues: | Français |
| Résumé : |
L’étude détaillée des films minces de silicium nanocristallin hydrogéné, nous a permis d’optimiser les meilleures conditions de dépôt de ce matériau à basses températures. Nous avons préparé des films minces de a-Si :H et de nc-Si :H à partir d’une cible de c-Si de grande pureté dans une atmosphère d’argon et d’hydrogène, et pour des conditions expérimentales bien choisies. Les résultats obtenus sur les propriétés structurales et électroniques de couches minces de silicium nanocristallin déposées par pulvérisation cathodique magnétron radiofréquence (RFMS), dans les mêmes conditions de plasma obtenues lors de l’optimisation des couches intrinsèques (pression totale P = 3 Pa, puissance RF = 200 W, les pressions partielles des gaz 70 % H2 et 30% Ar), en fonction d’une part du temps de dépôt (3 et 30 min) et de la température du substrat (ambiante et 100 °C), et d’autre part du dopage (dopé par le bore « type p » ou par le phosphore « type n ») montrent que : • Les couches dopées, déposés à 3 minutes, présentent des fractions cristallines (déterminées par l’analyse des spectres Raman et d’ellipsométrie) très importantes et des contraintes très réduites pour les deux températures de substrats, contrairement aux couches non dopées qui présentent des contraintes plus importantes et des fractions cristallisées plus faibles. • Les échantillons intrinsèques et ceux dopés, déposés pendant un temps plus long (30 min), montrent pratiquement les mêmes fractions cristallines (autour de 70 %) pour les deux températures de dépôt, avec plus de contraintes pour les couches non dopées, comme le montre le décalage du pic TO des spectres Raman pour les échantillons dopés vers les grands nombres d’ondes (pic à 520 cm-1 pour les dopés contre 516 cm-1 pour les échantillons intrinsèques). Cette relaxation des couches dopées peut être expliquée par le rôle de l’hydrogène, qui neutralise les liaisons faibles et forme des liaisons Si-H plus fortes. |
Exemplaires (1)
| Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
|---|---|---|---|---|---|
| SE00636T | PH68 | Livre audio | Bibliothèque des Sciences Exactes | 7-Mémoires Master | Consultation sur place Exclu du prêt |
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