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Résumé :
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Notre travail a été basé sur l’étude des propriétés structurales et électronique et optiques des composés binaires et des alliages. On a présenté une étude théorique basé sur la DFT et utilisant la méthode des ondes planes augmentées et linéarisées FP-LAPW sur les propriétés structurales et électroniques des semi-conducteurs binaires: MgSe, MgTe, ZnSe, ZnTe, CdSe, CdTe ; quaternaires: 〖Mg〗_x 〖Zn〗_y 〖Cd〗_(1-x-y) Se et 〖Mg〗_x 〖Zn〗_y 〖Cd〗_(1-x-y) Te, nous avons étudié les composés binaires parents constituant ces alliages à savoir MgSe, MgTe, ZnSe et ZnTe. L’étude de la stabilité de ces composés a montré que les composés binaires adoptent la phase zinc blende. Nous avons calculé les paramètres structuraux pour les composés étudiés, à savoir le paramètre du réseau a, le module de compressibilité B et sa dérivée B’. L’étude des structures de bandes électroniques nous a permis de conclure que le gap est pour les binaires MgTe, ZnSe, ZnTe, CdSe, CdTe. Les structures de bandes ont étédirect et pour MgSe la structures de bandes ont étéX indirect calculées par les deux approximations PBE-GGA et mBJ. Les valeurs des gaps obtenues par la PBE-GGA sont sous-estimées par rapport à l’expérimental, par contre celles obtenues par le mBJ concordent bien avec celles de l’expérience. Enfin, notre travail est terminé par l’étude de l’alliage quaternaire 〖Mg〗_x 〖Zn〗_y 〖Cd〗_(1-x-y) Se et 〖Mg〗_x 〖Zn〗_y 〖Cd〗_(1-x-y) Te . Les calculs du paramètre du réseau, du module de compressibilité et du gap énergétique pour différentes concentrations x et y ont été effectués. Les valeurs des gaps calculées des alliages quaternaires l’approximation (mBJ) varient de 2.0053 à 2.5312 eV pour le premier 〖Mg〗_x 〖Zn〗_y 〖Cd〗_(1-x-y) Se et 1.8297à 2.5608 pour le deuxième. Cette gamme de valeurs nous permet d’obtenir les propriétés optiques utilisées pour divers applications technologiques.
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