| Titre : | Contribution à l’étude comparative des caractéristiques électriques des transistors MODFETs à base des nitrures |
| Auteurs : | Souad Fidjel, Auteur ; Abbès Beloufa, Directeur de thèse |
| Type de document : | texte manuscrit |
| Editeur : | Université mustapha stambouli de Mascara:Faculté des sciences exactes, 2020 |
| ISBN/ISSN/EAN : | SE01108T |
| Format : | 98p. / ill. en coul. / 29 cm. |
| Accompagnement : | disque optique numérique (CD-ROM) |
| Langues: | Français |
| Résumé : |
Ces dernières années, le transistor MODFETs à base d’hétérostructure AlGaN/GaN, fait l’objet d’intenses recherches et investigations. Celles-ci ont montré l’efficacité de ce composant pour des applications hyperfréquences nécessitant des tensions et des puissances élevées dans le domaine de télécommunications par satellites, biomédical et les automobiles avec des radars anticollisions. Les avantages intrinsèques de ces transistors résident dans une tension de claquage et une vitesse de saturation élevée et une bonne stabilité à haute température. L'objectif de ce travail est de concevoir et de simuler par la méthode analytique en utilisant le logiciel Matlab et le module TCAD du simulateur Silvaco le comportement statique du transistor MODFET en GaN. Nous avons présenté une étude détaillée sur le fonctionnement du transistor MODFETs afin de simuler les caractéristiques statiques de l’hétérostructure AlGaN/GaN sous l’influence des paramètres extrinsèques comme la largeur de la grille, l’épaisseur de la couche barrière et les tensions du drain et grille. |
Exemplaires (1)
| Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
|---|---|---|---|---|---|
| SE01108T | PH129 | Livre audio | Bibliothèque des Sciences Exactes | 7-Mémoires Master | Consultation sur place Exclu du prêt |
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