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Titre :
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Investigation ab-initio sur les propriétés physiques des semi-conducteurs magnétiques à base de semi-conducteur GaP dopé au vanadium : l’alliage Ga0.75V0.25P
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Auteurs :
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Ibtissam Mansouri, Auteur ;
Nour El Houda Mohammed Cherif, Auteur ;
Monir Mohammed El Amine, Directeur de thèse
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Type de document :
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texte manuscrit
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Editeur :
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Université mustapha stambouli de Mascara:Faculté des sciences exactes, 2021
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ISBN/ISSN/EAN :
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SE01306T
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Format :
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83P. / ill. en coul. / 29 cm.
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Accompagnement :
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disque optique numérique (CD-ROM)
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Langues:
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Français
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Résumé :
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Dans ce travail, nous avons étudié les propriétés structurelles, électroniques et magnétiques du composé GaP et de son alliage Ga0.75V0.25P ( GaP dopé au vanadium avec une concentration de 25%) en appliquant la méthode des ondes planes augmentées linéarisées aves des orbitales locales et à potentiel total (FP LAPW+lo), le potentiel d’échange et de corrélation a été défini par l’approximation du gradient généralisé (PBE-GGA) afin d’aborder les propriétés structurelles de ces composés, tandis que, les deux approximations PBE-GGA et TB-mBJ-GGA ont été choisies pour l’étude et l’amélioration des propriétés électroniques et magnétiques de ces composés.
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