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Amina Hamidi,, Auteur ; Abbès Beloufa, Directeur de thèse | Université mustapha stambouli de Mascara:Faculté des sciences exactes | 2019Les transistors MOS-MODFETs conçus à partir des matériaux à grand gap III-N présentent de bonnes performances et sont largement utilisés pour l’amplification de puissance en hyperfréquences. Afin d’effectuer les meilleurs choix technologiques po[...]
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