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Souad Fidjel, Auteur ; Abbès Beloufa, Directeur de thèse | Université mustapha stambouli de Mascara:Faculté des sciences exactes | 2020Ces dernières années, le transistor MODFETs à base d’hétérostructure AlGaN/GaN, fait l’objet d’intenses recherches et investigations. Celles-ci ont montré l’efficacité de ce composant pour des applications hyperfréquences nécessitant des tension[...]
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Ali Kourbali, Auteur ; Abbès Beloufa, Directeur de thèse | Université mustapha stambouli de Mascara:Faculté des sciences exactes | 2022Nitrure de Gallium GaN possède de bonnes propriétés physiques et électriques (large bande interdite et champ de claquage élevé). Cela en fait un bon candidat pour fabriquer des transistors à haute mobilité électronique HEMTs pour les application[...]
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Abderrahmane Zellati, Auteur ; Abbès Beloufa, Directeur de thèse | Université mustapha stambouli de Mascara:Faculté des sciences exactes | 2023objectif principal de ce travail consiste à l’étude de l’influence des paramètres physiques et électriques sur les performances électriques des transistors MOS-HEMTs à base de l’hétérostructure La2O3/AlGaN/AlN/GaN. Le choix de cette hétérostruct[...]
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Amina Hamidi,, Auteur ; Abbès Beloufa, Directeur de thèse | Université mustapha stambouli de Mascara:Faculté des sciences exactes | 2019Les transistors MOS-MODFETs conçus à partir des matériaux à grand gap III-N présentent de bonnes performances et sont largement utilisés pour l’amplification de puissance en hyperfréquences. Afin d’effectuer les meilleurs choix technologiques po[...]
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