| Titre : | Contribution à l’étude comparative des performances électriques des transistors HEMTs et MIS-HEMTs à base de GaN sous l’influence des matériaux isolants (HfO2 et ZrO2) |
| Auteurs : | Ali Kourbali, Auteur ; Abbès Beloufa, Directeur de thèse |
| Type de document : | texte manuscrit |
| Editeur : | Université mustapha stambouli de Mascara:Faculté des sciences exactes, 2022 |
| ISBN/ISSN/EAN : | SE02181T |
| Format : | 79P. / couv. ill. en coul / 29cm. |
| Accompagnement : | disque optique numérique (CD-ROM) |
| Langues: | Français |
| Résumé : |
Nitrure de Gallium GaN possède de bonnes propriétés physiques et électriques (large bande interdite et champ de claquage élevé). Cela en fait un bon candidat pour fabriquer des transistors à haute mobilité électronique HEMTs pour les applications hautes puissances et hautes fréquences. Le travail présenté dans ce mémoire est lié à l'étude de l’influence des matériaux isolants (ZrO2 et HfO2) utilisés pour isoler la grille sur les performances électriques des transistors à haute mobilité électronique HEMTs à base de l’hétérostructure AlGaN/GaN. Nous avons modélisé et simulé les performances électriques de ces transistors à l'aide simulateur Atlas-TCAD et langage Matlab sous l'influence des paramètres physiques tels que la permittivité du matériau isolant et la tension de polarisation sur les caractéristiques I-V et C-V. Enfin, notre étude montre que l'utilisation de l’oxyde de zirconium (ZrO2) à forte permittivité permet d’améliorer les performances électriques des transistors HEMTs à base de l’hétérostructure AlGaN/GaN pour les applications hautes puissances et hautes fréquences. Mots clés : transistors, MIS-HEMTs, matériaux isolants, nitrates III-N, caractéristiques I-V et C-V, Atlas-TCAD, Matlab, hautes puissances, hautes fréquences. |
Exemplaires (1)
| Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
|---|---|---|---|---|---|
| SE02181T | PH159 | Livre audio | Bibliothèque des Sciences Exactes | 7-Mémoires Master | Consultation sur place Exclu du prêt |
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