| Titre : | Etude de l’effet du matériau oxyde La2O3 sur les performances électriques des Transistors MOS-HEMTs à base de l’hétérostructure AlGaN/AlN/GaN |
| Auteurs : | Abderrahmane Zellati, Auteur ; Abbès Beloufa, Directeur de thèse |
| Type de document : | texte manuscrit |
| Editeur : | Université mustapha stambouli de Mascara:Faculté des sciences exactes, 2023 |
| ISBN/ISSN/EAN : | SE02415T |
| Format : | 98p. / couv. ill. / 29cm. |
| Accompagnement : | disque optique numérique (CD-ROM) |
| Langues: | Français |
| Résumé : |
objectif principal de ce travail consiste à l’étude de l’influence des paramètres physiques et électriques sur les performances électriques des transistors MOS-HEMTs à base de l’hétérostructure La2O3/AlGaN/AlN/GaN. Le choix de cette hétérostructure de nitrures d’éléments III, a été optimisé par les comportements particuliers qui les caractérisent dans les applications micro-ondes à électronique ultra-rapide et haute puissance et par la grande bande offset de la bande de conduction à l’interface de l’hétérojonction AlN/GaN qui assure un meilleur confinement des porteurs dans un puits quantique quasi-triangulaire (canal du transistor à effet de champ). Dans ce cadre nous nous sommes intéressés à l'étude des transistors MOS-HEMTs sur un substrat de saphir avec l’oxyde La2O3 qui a fait l'objet de nombreux travaux de recherche et qui ont montré leurs capacités à répondre aux besoins des applications des fortes puissances en hyperfréquences et à hautes températures. L'intérêt de l’oxyde de lanthane (La2O3) qui le possède des meilleures performances électriques, dû aux faible courant de fuite de grille, une forte permittivité et une meilleure stabilité thermique pour les applications hautes puissances et hautes températures. Mots clés : transistors, MOS-HEMTs, matériaux oxydes, nitrure III-N, caractéristiques I-V et C-V, hautes puissances, hautes fréquences, Atlas-TCAD, Matlab. |
Exemplaires (1)
| Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
|---|---|---|---|---|---|
| SE02415T | PH195 | Livre audio | Bibliothèque des Sciences Exactes | 7-Mémoires Master | Consultation sur place Exclu du prêt |
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