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Contribution à l’étude comparative des performances électriques des transistors HEMTs et MIS-HEMTs à base de GaN sous l’influence des matériaux isolants (HfO2 et ZrO2)

Ali Kourbali, Auteur ; Abbès Beloufa, Directeur de thèse | Université mustapha stambouli de Mascara:Faculté des sciences exactes | 2022

Nitrure de Gallium GaN possède de bonnes propriétés physiques et électriques (large bande interdite et champ de claquage élevé). Cela en fait un bon candidat pour fabriquer des transistors à haute mobilité électronique HEMTs pour les application[...]

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