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Etude de l’effet du matériau oxyde La2O3 sur les performances électriques des Transistors MOS-HEMTs à base de l’hétérostructure AlGaN/AlN/GaN

Abderrahmane Zellati, Auteur ; Abbès Beloufa, Directeur de thèse | Université mustapha stambouli de Mascara:Faculté des sciences exactes | 2023

objectif principal de ce travail consiste à l’étude de l’influence des paramètres physiques et électriques sur les performances électriques des transistors MOS-HEMTs à base de l’hétérostructure La2O3/AlGaN/AlN/GaN. Le choix de cette hétérostruct[...]

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